计算题 硅PN结N区电阻率P_n=5Ω·cm、t_p=1μs，P区电阻率P_p=0.1Ω·cm、t_n=5μs，计算300K时反向饱和电流密度、空穴电流与电子电流之比以及正向0.3V和0.7V时通过PN结的电流密度。

PN结两边杂质浓度和宽度均相等，且两边宽度小于相应的少子扩散长度，试证明正向空穴电流和电子电流之比为Ip/In...

问答题PN结两边杂质浓度和宽度均相等，且两边宽度小于相应的少子扩散长度，试证明正向空穴电流和电子电流之比为Ip/I_n=D_p/D_n，如果两边宽度均大于相应的扩散长度，结果如何？

证明反向饱和电流可以改写为。

问答题

证明反向饱和电流可以改写为。

证明通过PN结的空穴电流与总电流之比为。

问答题

证明通过PN结的空穴电流与总电流之比为。