填空题
免可控硅效应的方法从（）寄生管的总增益，以及消除寄生晶体管出发，主要有： 1. （）； 2. （）； 3. 使用可以吸收注入电荷的（）； 4. （）； 5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的产生。
降低；增加基区宽度（即P-NMOS管的间距和阱深）；增加基区掺杂；保护环；采用深槽隔离；采用SOI材料作衬底
闩锁效应（可控硅效应），是CMOS电路遇到的（）问题。在CMOS电路正常工作时，由于（）的突然被激发，器件电流...
填空题闩锁效应（可控硅效应），是CMOS电路遇到的（）问题。在CMOS电路正常工作时，由于（）的突然被激发，器件电流突然（），甚至很快因Al（），使电路失效。
开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电...
填空题开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。
MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
