在理想MIS结构（n型半导体）开启电压V_T的计算中，没有考虑强反型少子（即空穴）电荷的原因是（）。

双极型晶体管中开关时间常数最大的通常是（）。A.开启延迟时间B.下降时间C.储存时间D.上升时间

单项选择题双极型晶体管中开关时间常数最大的通常是（）。

关于复合电流，下列说法中正确的是（）。A.载流子不消失，电流也不消失B.载流子消失，但电流不消失C.载流子消失...

单项选择题关于复合电流，下列说法中正确的是（）。

‏Si的pn结，正向小偏压下，占据主导的电流分量是（）。A.产生电流B.漂移电流C.扩散电流D.复合电流

单项选择题‏Si的pn结，正向小偏压下，占据主导的电流分量是（）。