问答题
1、原生氧化层 2、屏蔽氧化层 3、遮蔽氧化层 4、场区和局部氧化层 5、衬垫氧化层 6、牺牲氧化层 7、栅极氧化层 8、阻挡氧化层
简述晶圆的制造步骤
问答题简述晶圆的制造步骤
CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。
问答题CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。
缩写中文含义 APCVD HDPCVD LPCVD PECVD PVD ...
缩写中文含义 APCVD HDPCVD LPCVD PECVD PVD BJT CD CMOS CMP MIC ILD MBE SOI DUV MOCVD BSG PSG BPSG RTP RTA IC LOCOS STI LI VLSI CA FIB ARC ASIC RIE FIB EUV LDD
