氧化层中掺杂了硼杂质，一般称为（）。

如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。A.湿氧氧化B.氢氧合成C.CVDD.干氧氧化

单项选择题如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。

CMOS电路是通过有源区进行隔离的，属于绝缘介质隔离。

判断题CMOS电路是通过有源区进行隔离的，属于绝缘介质隔离。

STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。

判断题STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。