多项选择题
A.电离杂质散射B.中性杂质散射C.晶格振动散射D.等同的能谷间散射
半导体重掺杂，可能会导致下列哪些现象？（）A.半导体费米能级进入导带或价带中B.引起半导体杂质原子的电子共有化...
多项选择题半导体重掺杂，可能会导致下列哪些现象？（）
A.半导体费米能级进入导带或价带中B.引起半导体杂质原子的电子共有化运动C.半导体载流子统计分布需要用费米分布函数来描述D.半导体中载流子的浓度随掺杂浓度的增加而线性增加
关于离子注入掺杂，说法正确的有（）A.离子注入对半导体晶格没有损伤B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度C....
多项选择题关于离子注入掺杂，说法正确的有（）
A.离子注入对半导体晶格没有损伤B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度C.离子注入利用磁场来筛选注入的离子D.将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
关于半导体空穴，描述正确的有（）A.空穴带有正电荷，且具有正的有效质量B.空穴是为了处理半导体导带的导电问题而...
多项选择题关于半导体空穴，描述正确的有（）
A.空穴带有正电荷，且具有正的有效质量B.空穴是为了处理半导体导带的导电问题而人为引入的物理量C.空穴运动的本质是价带中电子的运动D.p型掺杂将在半导体中引入更多的空穴
