单项选择题
A.1.5VB.0.5VC.1VD.1.8V
在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅,其原因是()。A.p+多晶硅栅具有较大功函数B.p...
单项选择题在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅,其原因是()。
A.p+多晶硅栅具有较大功函数B.p+多晶硅栅具有更低电阻率C.p+多晶硅栅可以做成埋沟器件D.p+多晶硅栅适合自对准工艺
以下()描述对于正常放大工作的NPN晶体管是正确的。A.ic>incB.ine< ipeC.inc>ineD....
单项选择题以下()描述对于正常放大工作的NPN晶体管是正确的。
A.ic>incB.ine< ipeC.inc>ineD.ib=ipe+icbo
双极型晶体管硅管和锗管中,发射结势垒区复合电流对发射效率的影响,下列说法中正确的是()。A.该复合电流影响对两...
单项选择题双极型晶体管硅管和锗管中,发射结势垒区复合电流对发射效率的影响,下列说法中正确的是()。
A.该复合电流影响对两种管子影响大小无法确定B.该复合电流影响对硅管大,对锗管小C.该复合电流影响对两种管子同样大D.该复合电流影响对锗管大,对硅管小