多项选择题
A.非晶硅晶化制备B.将多晶硅片切薄C.利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜D.对多晶硅片进行热处理
PECVD主要利用的是（）区域。A.正离子柱区B.法拉第暗区C.阳极辉光D.阴极辉光
单项选择题PECVD主要利用的是（）区域。
A.正离子柱区 B.法拉第暗区 C.阳极辉光 D.阴极辉光
PECVD所使用的主要原料是（）。A.SiHCl3B.SiO2C.SiD.SiH4
单项选择题PECVD所使用的主要原料是（）。
A.SiHCl3 B.SiO2 C.Si D.SiH4
α-Si指（）。A.微晶硅B.多晶硅C.单晶硅D.非晶硅
单项选择题α-Si指（）。
A.微晶硅B.多晶硅C.单晶硅D.非晶硅
