某理想MIS（n型半导体衬底）结构中，若在金属栅上加足够高正电压，则以下（）说法错误。

考虑均匀基区硅双极晶体管，T=300K，Nb=5E16cm-3，Nc=2E15cm-3。假定冶金结宽度为0.7...

单项选择题考虑均匀基区硅双极晶体管，T=300K，Nb=5E16cm^-3，Nc=2E15cm^-3。假定冶金结宽度为0.70um。计算C-B结电压从2V变化到10V时，中性基区宽度的变化（）。

对双极型晶体管特征频率影响最大的通常是（）。A.集电结势垒渡越时间B.发射极延迟时间C.基区渡越时间D.集电极...

单项选择题对双极型晶体管特征频率影响最大的通常是（）。

关于发射结势垒电容CTe和扩散电容CTe充放电对发射效率g的影响，下列说法中正确的是（）。A.CTe对γ几乎无...

单项选择题关于发射结势垒电容C_Te和扩散电容C_Te充放电对发射效率g的影响，下列说法中正确的是（）。