单项选择题
A.集电结势垒渡越时间B.发射极延迟时间C.基区渡越时间D.集电极延迟时间
关于发射结势垒电容CTe和扩散电容CTe充放电对发射效率g的影响，下列说法中正确的是（）。A.CTe对γ几乎无...
单项选择题关于发射结势垒电容CTe和扩散电容CTe充放电对发射效率g的影响，下列说法中正确的是（）。
A.CTe对γ几乎无影响，CDe对γ有显著影响B.CTe对γ有显著影响，CDe对γ几乎无影响C.CTe和CDe对γ都有显著影响D.CTe和CDe对γ都几乎无影响
关于PN结势垒电容和扩散电容，下列说法中正确的是（）。A.势垒电容可用平板电容等效，而扩散电容则不能B.势垒...
单项选择题关于PN结势垒电容和扩散电容，下列说法中正确的是（）。
A.势垒电容可用平板电容等效，而扩散电容则不能B.势垒电容和扩散电容都可用平板电容等效C.势垒电容和扩散电容都不能用平板电容等效D.扩散电容可用平板电容等效，而势垒电容则不能
Si的pn结，室温附近温度每升高（）度，反偏漏电流增加一倍。A.十几B.五十几C.二十几
单项选择题Si的pn结，室温附近温度每升高（）度，反偏漏电流增加一倍。
A.十几B.五十几C.二十几
