计算题 在一N-Ge样品中，过剩载流子浓度为10¹⁴cm^-3，空穴寿命100μs，计算该样品中空穴的复合率。

473K时硅的求本征硅的电阻率ρi。

问答题

473K时硅的求本征硅的电阻率ρ_i。

掺硼1.1×1016cm-3和磷9×1015cm-3的硅样品，计算室温下多子浓度和少子浓度。如果电子迁移率μn...

问答题掺硼1.1×10¹⁶cm^-3和磷9×10¹⁵cm^-3的硅样品，计算室温下多子浓度和少子浓度。如果电子迁移率μ_n=1000cm²/v·s，空穴迁移率μ_p=360cm²/v·s，求电阻率。

设电子和空穴的迁移率分别为1350cm2/V·S和500cm2/V·S，试计算本征硅在300K下的电导率。当掺...

问答题设电子和空穴的迁移率分别为1350cm²/V·S和500cm²/V·S，试计算本征硅在300K下的电导率。当掺入百万分之一的砷后，设杂质全部电离，计算其电导率，并将其与本征硅的电导率进行比较。