多项选择题
A.AlB.NC.PD.B
以下对于碳化硅性质描述错误的是（）。A.可以用物理气相传输法制备SiC单晶B.C面的氧化速率比Si面高很多C....
单项选择题以下对于碳化硅性质描述错误的是（）。
A.可以用物理气相传输法制备SiC单晶B.C面的氧化速率比Si面高很多C.无论哪种生长方式，6H-SiC都最容易生长D.一般用SiC体单晶或者蓝宝石作为衬底制备SiC薄膜
以下对于氧化锌描述错误的是（）。A.可用气相法或者水热法制备B.是非常稳定的纤锌矿结构，耐高温高压C.P型难...
单项选择题以下对于氧化锌描述错误的是（）。
A.可用气相法或者水热法制备B.是非常稳定的纤锌矿结构，耐高温高压C.P型难得D.本征为高阻半导体
以下对于ZnO描述错误的是（）。A.原料比较稀少B.外延生长温度低C.发光效率高D.器件工作温度高
单项选择题以下对于ZnO描述错误的是（）。
A.原料比较稀少B.外延生长温度低C.发光效率高D.器件工作温度高
