单项选择题
A.原料比较稀少B.外延生长温度低C.发光效率高D.器件工作温度高
以下不是II-VI族半导体的制备方法的是（）。A.升华法B.移动加热法C.垂直布里奇曼法D.液封提拉法
单项选择题以下不是II-VI族半导体的制备方法的是（）。
A.升华法B.移动加热法C.垂直布里奇曼法D.液封提拉法
对于II-VI族半导体描述错误的是（）。A.有毒B.直接带隙半导体C.有闪锌矿和纤锌矿两种结构D.禁带宽度随...
单项选择题对于II-VI族半导体描述错误的是（）。
A.有毒B.直接带隙半导体C.有闪锌矿和纤锌矿两种结构D.禁带宽度随着原子序数的增加而增加
以下对于GaN描述错误的是（）。A.可以制备成高频和大功率器件B.是宽禁带半导体，可以生长在SiC上C.高载...
单项选择题以下对于GaN描述错误的是（）。
A.可以制备成高频和大功率器件B.是宽禁带半导体，可以生长在SiC上C.高载流子迁移率D.霍尔迁移率随着温度的增加而增加
