用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。

传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。

判断题传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。

氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。

判断题氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。

虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。

判断题虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。