单项选择题
A.直拉法B.区熔提纯C.电子束＋定向凝固D.精炼造渣+定向凝固
以下对于硅材料特性的描述正确的是（）。A.电子迁移率高，高频性能好B.发光效率高C.器件工作温度高（达250...
多项选择题以下对于硅材料特性的描述正确的是（）。
A.电子迁移率高，高频性能好B.发光效率高C.器件工作温度高（达250℃）D.容易形成结构高度稳定的绝缘层
形成P型硅的掺杂剂是（）。A.铝B.硼C.砷D.锑
多项选择题形成P型硅的掺杂剂是（）。
A.铝B.硼C.砷D.锑
以下对于II-VI族半导体描述错误的是（）。A.熔点随着原子序数的增加而增加B.其导电类型可以通过改变气相的...
单项选择题以下对于II-VI族半导体描述错误的是（）。
A.熔点随着原子序数的增加而增加B.其导电类型可以通过改变气相的分压来改变C.离子注入可以抑制自补偿效应D.碲化镉具有较高的吸光系数，可以制备太阳电池
