问答题
以下两图属于同类型存储器单元。试回答以下问题：
PROM允许用户根据需要进行一次编程，但信息一但也入，就不可再改写。(a)熔丝型PROM存储单元是由晶体管的发射极连接一......
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它们两个都是哪一种类型存储器单元？分别是什么类型的？
问答题它们两个都是哪一种类型存储器单元？分别是什么类型的？
给出一管单元DRAM的原理图，并给出版图。
问答题给出一管单元DRAM的原理图，并给出版图。
对1T DRAM，假设位线电容为1pF，位线预充电电压为1.25V。在存储数据为1和0时单元电容Cs（50fF...
问答题对1T DRAM，假设位线电容为1pF，位线预充电电压为1.25V。在存储数据为1和0时单元电容Cs（50fF）上的电压分别等于1.9V和0V。这相当于电荷传递速率为4.8%。求读操作期间位线上的电压摆幅。
