多项选择题
A.半导体B.绝缘体（介质）C.导体D.二氧化硅
CVD的具体方法有（）A.APCVDB.LPCVDC.PECVDD.LCVD
多项选择题CVD的具体方法有（）
A.APCVDB.LPCVDC.PECVDD.LCVD
CVD可以淀积（）A.半导体B.绝缘体（介质）C.导体D.二氧化硅
多项选择题CVD可以淀积（）
热氧化生长200微米的二氧化硅，氧化前硅片至少多厚（）A.200B.88C.100D.56
单项选择题热氧化生长200微米的二氧化硅，氧化前硅片至少多厚（）
A.200B.88C.100D.56
