热氧化生长200微米的二氧化硅，氧化前硅片至少多厚（）

界面陷阱电荷解决方法是（）A.干氧氧化B.水汽氧化C.高压氧化D.掺氯氧化

单项选择题界面陷阱电荷解决方法是（）

在半导体生产中，常常采用的氧化方式是“干-湿-干”氧化，湿氧氧化的作用是（）A.较短的时间得到较厚的薄膜B.得...

单项选择题在半导体生产中，常常采用的氧化方式是“干-湿-干”氧化，湿氧氧化的作用是（）

氧化层上表面的二氧化硅是（）生长的。A.最后B.最先C.随机D.中间

单项选择题氧化层上表面的二氧化硅是（）生长的。