单项选择题
A.N沟道JFET B.增强~AIPMOS管 C.耗尽型NMOS管 D.耗尽型PMOS管
当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A.JFETB.增强型MOS管C.耗尽型MOS管D.NMOS管
单项选择题当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。
A.JFET B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管 D.NMOS管
（）具有不同的低频小信号电路模型。A.NPN型管和PNP型管B.增强型场效应管和耗尽型场效应管C.N沟道场效应...
单项选择题（）具有不同的低频小信号电路模型。
A.NPN型管和PNP型管 B.增强型场效应管和耗尽型场效应管 C.N沟道场效应管和P沟道场效应管 D.晶体管和场效应管
输入（）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。A.正弦小信号B.低频大信号C.低频小信号D.高...
单项选择题输入（）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A.正弦小信号 B.低频大信号 C.低频小信号 D.高频小信号
