计算题 在N_A=10¹⁵cm^-3的p型硅<111>衬底上，氧化层厚度为70nm，SiO₂层等效电荷面密度为3×10¹¹cm^-2，计算MOSFET的阈值电压。

已知n沟道MOSFET的沟道长度L=10μm，沟道宽度W=400μm，栅氧化层厚度tax=150nm，阈值电压...

问答题已知n沟道MOSFET的沟道长度L=10μm，沟道宽度W=400μm，栅氧化层厚度t_ax=150nm，阈值电压V_T=3V，衬底杂质浓度N_A=9×10¹⁴cm^-3，求栅极电压等于7V时的漏源饱和电流。在此条件下，V_DS等于几伏时漏端沟道开始夹断？计算中取μ_n=600cm²/（V·s）。

简述p沟道MOSFET的工作原理。

问答题简述p沟道MOSFET的工作原理。

简要说明JFET的工作原理。

问答题简要说明JFET的工作原理。