简答题 简述p沟道MOSFET的工作原理。

简要说明JFET的工作原理。

问答题简要说明JFET的工作原理。

晶体管穿通后的特性如何变化？某晶体管的基区杂质浓度NB=1019cm-3，集电区的杂质浓度NC=5×1015c...

问答题晶体管穿通后的特性如何变化？某晶体管的基区杂质浓度N_B=10¹⁹cm^-3，集电区的杂质浓度N_C=5×10¹⁵cm^-3，基区的宽度W_B=0.3μm，集电区宽度W_C=10μm，求晶体管的击穿电压。

硅晶体管的标称耗散功率为20W，总热阻为5℃/W，满负荷条件下允许的最高环境温度是多少？（硅Tjm=200℃，...

问答题硅晶体管的标称耗散功率为20W，总热阻为5℃/W，满负荷条件下允许的最高环境温度是多少？（硅T_jm=200℃，锗T_jm=100℃）