CMOS反相器的传播延时随着电源电压升高而（）。

一个CMOS反相器它所驱动的外部负载电容远小于它自身的寄生电容（即只考虑反相器自身的寄生负载电容），当维持两个...

单项选择题一个CMOS反相器它所驱动的外部负载电容远小于它自身的寄生电容（即只考虑反相器自身的寄生负载电容），当维持两个晶体管的沟道长度不变，把它们的沟道宽度（W值）同时放大2倍，那么它的传播延时将近似（）。

一个CMOS反相器它所驱动的外部负载电容远大于它自身的寄生电容（即不考虑反相器自身的寄生负载电容），当维持两个...

单项选择题一个CMOS反相器它所驱动的外部负载电容远大于它自身的寄生电容（即不考虑反相器自身的寄生负载电容），当维持两个晶体管的沟道长度不变，把它们的沟道宽度（W值）同时放大2倍，那么它的传播延时将近似（）。

数字集成电路中的噪声来源主要有片内的（）噪声，和来自片外的（）噪声，前者与信号摆幅（），后者与信号摆幅（）。A...

单项选择题数字集成电路中的噪声来源主要有片内的（）噪声，和来自片外的（）噪声，前者与信号摆幅（），后者与信号摆幅（）。