单项选择题
A.耦合，电源地，无关，成正比B.耦合，电源地，成正比，无关C.电源地，耦合，成正比，无关D.电源地，耦合，无关，成正比
对一个CMOS反相器，增大PMOS管和NMOS管的沟道宽度之比（Wp/Wn），其开关阈值将（）；当NMOS管的...
单项选择题对一个CMOS反相器，增大PMOS管和NMOS管的沟道宽度之比（Wp/Wn），其开关阈值将（）；当NMOS管的阈值电压变大，对称反相器所对应的Wp/Wn应该（）。
A.增大；增大B.减小；减小C.增大；减小D.减小；增大
当温度升高时，MOS管的漏极饱和电流将（），亚阈值漏电流将（）。A.上升，下降B.上升，上升C.下降，上升D....
单项选择题当温度升高时，MOS管的漏极饱和电流将（），亚阈值漏电流将（）。
A.上升，下降B.上升，上升C.下降，上升D.下降，下降
亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成（）关系。A.指数B.平方C.线性
单项选择题亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成（）关系。
A.指数B.平方C.线性
