多项选择题
A.除去光刻胶中剩余的溶剂 B.增强光刻胶对晶片表面的附着力 C.提高光刻胶的抗刻蚀能力 D.有利于以后的去胶工序 E.减少光刻胶的缺陷
有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。A.负胶受显影液的影响比较小B.正胶受显影液的影响比较小C.正胶的曝光区...
多项选择题有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
A.负胶受显影液的影响比较小 B.正胶受显影液的影响比较小 C.正胶的曝光区将会膨胀变形 D.使用负胶可以得到更高的分辨率 E.负胶的曝光区将会膨胀变形
下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。A.显影液的温度B.显影液的浓度C.显影液的溶解度D.显影液的化学成分
单项选择题下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。
A.显影液的温度 B.显影液的浓度 C.显影液的溶解度 D.显影液的化学成分
下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。A.ARC可以是硅的氮化物B.可用干法刻蚀除去C.ARC膜可以通过PVD...
多项选择题下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。
A.ARC可以是硅的氮化物 B.可用干法刻蚀除去 C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成 D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层 E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成
