亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成（）关系。

下列参数变化会引起NMOS晶体管阈值电压降低的是（）。A.沟道长度L缩短B.晶体管的VDS增大C.源端电位升高...

多项选择题下列参数变化会引起NMOS晶体管阈值电压降低的是（）。

根据下图所示的MOS管版图，可知下列几个寄生电容与沟道宽度W成正比的有（粉色为多晶硅层，绿色为有源区层，黑色为...

多项选择题

根据下图所示的MOS管版图，可知下列几个寄生电容与沟道宽度W成正比的有（粉色为多晶硅层，绿色为有源区层，黑色为接触孔层，深绿色为金属层）（）。

下图是短沟增强型NMOS管的一阶手工分析模型的源漏电流-源漏电压关系图，L1、L2和L3三条虚线把晶体管的工作...

单项选择题

下图是短沟增强型NMOS管的一阶手工分析模型的源漏电流-源漏电压关系图，L1、L2和L3三条虚线把晶体管的工作区划分为三个区域（分别用I、II、III表示），它们分别对应线性区（电阻区）、速度饱和区和饱和区。下列工作区名称对应关系正确的是（）。