多项选择题
A.沟道长度L缩短B.晶体管的VDS增大C.源端电位升高（衬底接地）D.增加衬底掺杂浓度
根据下图所示的MOS管版图，可知下列几个寄生电容与沟道宽度W成正比的有（粉色为多晶硅层，绿色为有源区层，黑色为...
根据下图所示的MOS管版图，可知下列几个寄生电容与沟道宽度W成正比的有（粉色为多晶硅层，绿色为有源区层，黑色为接触孔层，深绿色为金属层）（）。
A.栅与源漏区的耦合电容B.扩散区的底板电容C.栅-沟道电容D.扩散区的侧壁电容
下图是短沟增强型NMOS管的一阶手工分析模型的源漏电流-源漏电压关系图，L1、L2和L3三条虚线把晶体管的工作...
单项选择题
下图是短沟增强型NMOS管的一阶手工分析模型的源漏电流-源漏电压关系图，L1、L2和L3三条虚线把晶体管的工作区划分为三个区域（分别用I、II、III表示），它们分别对应线性区（电阻区）、速度饱和区和饱和区。下列工作区名称对应关系正确的是（）。
A.I-线性区，II-饱和区，III-速度饱和区B.I-速度饱和区，II-饱和区，III-速度饱和区C.I-截止区，II-速度饱和区，III-饱和区D.I-线性区，II-速度饱和区，III-饱和区
下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有（）。A.多晶硅和衬底半导体材料之间的功函数差的绝对...
多项选择题下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有（）。
A.多晶硅和衬底半导体材料之间的功函数差的绝对值增大B.栅极氧化层厚度变薄（单位面积的栅氧化层电容增大）C.氧化层中的表面电荷（正电荷）减少D.在沟道区人工注入p型杂质离子使得单位面积的电荷密度升高
