问答题
在双极集成电路工艺中，采用高阻的外延层可提高集电结的击穿电压，而其低阻的衬底（或埋层）可降低集电极的串联电阻。在MOS集......
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试对比分析扩散工艺和离子注入工艺的特征和特点。
问答题试对比分析扩散工艺和离子注入工艺的特征和特点。
什么是离子注入的沟道效应？消除沟道效应的途径有哪些？
问答题什么是离子注入的沟道效应？消除沟道效应的途径有哪些？
请阐述扩散的局限性。
问答题请阐述扩散的局限性。
