问答题
在一个n型半导体样品中,过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知: ...
在一个n型半导体样品中,过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知:
求:U=?
在忽略界面态影响的情况下,可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中的可动电荷,说明实验步骤和计算依据。
问答题在忽略界面态影响的情况下,可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中的可动电荷,说明实验步骤和计算依据。
若费米能级EF=5eV,利用费米函数计算在什么温度下电子占据E=5.5eV能级的几率为1%?计算在该温度下电子...
问答题若费米能级EF=5eV,利用费米函数计算在什么温度下电子占据E=5.5eV能级的几率为1%?计算在该温度下电子分布几率从0.1~0.9所对应的能量区间。