问答题
写出光照下过剩载流子所满足的方程
问答题写出光照下过剩载流子所满足的方程
在一个n型半导体样品中,过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知: ...
在一个n型半导体样品中,过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知:
求:U=?
在忽略界面态影响的情况下,可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中的可动电荷,说明实验步骤和计算依据。
问答题在忽略界面态影响的情况下,可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中的可动电荷,说明实验步骤和计算依据。