案例分析题

如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。

判断其表面空间电荷层的状态（多子积累、少子耗尽、少子反型）

画出对应的电荷分布图。

问答题画出对应的电荷分布图。

判断金属-半导体接触形成阻挡层还是反阻挡层。

问答题判断金属-半导体接触形成阻挡层还是反阻挡层。

试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图，并标明半导体表面势VS的数值。

问答题试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图，并标明半导体表面势V_S的数值。