CMP的设备构成包括（）。

新的平坦化方法有哪几个？（）A.固结磨料CMP技术B.无磨粒CMP技术C.无应力抛光技术D.电化学机械平坦化技...

多项选择题新的平坦化方法有哪几个？（）

光刻工艺对准误差包括（）。A.上下偏移B.X或Y方向的平移C.转动D.套准误差

多项选择题光刻工艺对准误差包括（）。

光刻工艺的特点包括（）。A.决定特征尺寸的关键工艺B.光刻与芯片的价格和性能密切相关C.光刻工艺过程复杂D.复...

多项选择题光刻工艺的特点包括（）。