单项选择题
对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？（）
A.AB.BC.CD.D
理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）A.VS≥2VBB.VS＞VBC.VS≤...
单项选择题理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）
A.VS≥2VBB.VS＞VBC.VS≤2VBD.VS＜VB
金属和半导体接触的整流特性可用于（）A.制作晶体管B.制作肖特基势垒二极管C.给半导体器件接出金属引线D.制...
单项选择题金属和半导体接触的整流特性可用于（）
A.制作晶体管B.制作肖特基势垒二极管C.给半导体器件接出金属引线D.制作PN结二极管
整流接触的特征是（）A.具有单向导电特性B.其正反偏置的电流输运特征没有差别C.具有双向导电特性D.接触引入...
单项选择题整流接触的特征是（）
A.具有单向导电特性B.其正反偏置的电流输运特征没有差别C.具有双向导电特性D.接触引入的电阻很小
