问答题
影响CVD生长速率的因素：①质量传输限制（常压CVD）；②表面反应限制（低压CVD）；③CVD气流动力学；④......
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简述集成电路对薄膜的要求。
问答题简述集成电路对薄膜的要求。
化学气相沉积（CVD）
名词解释化学气相沉积（CVD）
为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
