多项选择题
A.MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数 B.MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立 C.MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响 D.当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算
下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）A.当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失B.MO...
多项选择题下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）
A.当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失 B.MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA常用于低功耗放大器、带隙基准设计 C.亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数 D.MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当捕获75.JPG"alt="捕获，仍有存在
下列关于体效应的说法，正确的是（）A.源电压相对于衬底电势发生改变，使得源衬电势差不为0，就会产生体效应。B....
多项选择题下列关于体效应的说法，正确的是（）
A.源电压相对于衬底电势发生改变，使得源衬电势差不为0，就会产生体效应。 B.改变衬底电势可能会产生体效应。 C.不改变衬底电势也可能会产生体效应。 D.体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。
下列对器件尺寸参数描述正确的有（）A.tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定B.L是器件的沟道长度，W是器件的...
多项选择题下列对器件尺寸参数描述正确的有（）
A.tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定 B.L是器件的沟道长度，W是器件的宽度 C.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L D.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox
