单项选择题
A、低于 B、等于或大于 C、大于 D、小于或等于
属于晶体缺陷中面缺陷的是（）A、位错B、层错C、肖特基缺陷D、螺旋位错
单项选择题属于晶体缺陷中面缺陷的是（）
A、位错 B、层错 C、肖特基缺陷 D、螺旋位错
简述光生伏特效应中正确的是（）A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平...
单项选择题简述光生伏特效应中正确的是（）
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结； B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子； C、平衡载流子破坏原来的热平衡； D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
单晶硅晶胞常数为0.543nm，则（111）的面间距是多少？（）A、0.786nm B、0.543nm C...
单项选择题单晶硅晶胞常数为0.543nm，则（111）的面间距是多少？（）
