单项选择题
A.对光刻精度较高 B.光刻图案密度较高 C.光刻的材料易于腐蚀 D.光刻的材料难以腐蚀
在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是：（）A.腐蚀B.离子注入C.光刻D.CVD
单项选择题在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是：（）
A.腐蚀 B.离子注入 C.光刻 D.CVD
提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
判断题提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
MBE只能用于III-V族化合物的生长。
判断题MBE只能用于III-V族化合物的生长。
