常压的硅外延方法有（）。

刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）A.氧化B.离子注入C.光刻D.抛光

单项选择题刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）

注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）A.能量B.温度C.剂量D.质量

单项选择题注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）

掺杂后退火时间一般在（）。A.30~60分钟B.10~20分钟C.60~90分钟D.100~120分钟

单项选择题掺杂后退火时间一般在（）。