用CMOS管组合的两输入NAND门，若其中NMOS管的等效电阻为R_N，PMOS管的等效电阻为R_P，电容负载为C_L，则当两输入都为高电平时其下拉传播延时可以近似为（）。

‌下面关于优化功耗规则的说法错误的是（）A.对于一个给定的反相器尺寸，当负载电容太小时，功耗主要来自短路电流B...

单项选择题‌下面关于优化功耗规则的说法错误的是（）

假设CMOS反相器的等效负载电容CL对于由高至低以及由低至高的翻转是完全一样的，Reqp和Reqn分别是PMO...

单项选择题假设CMOS反相器的等效负载电容CL对于由高至低以及由低至高的翻转是完全一样的，R_eqp和R_eqn分别是PMOS管和NMOS管在所关注时间内的等效导通电阻，则反相器的传播延时定义为（）。

下列关于降低CMOS反相器的降低电源电压说法错误的是（）。A.降低电源电压意味着减小信号摆幅和能耗B.降低电源...

单项选择题下列关于降低CMOS反相器的降低电源电压说法错误的是（）。