多项选择题
A.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低B.生长十几nm厚的栅氧化层时，服从线性氧化速率C.温度升高氧化速率迅速增加D.（111）硅比（100）硅氧化得快
在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？（）A.（100）B.（111）...
单项选择题在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？（）
A.（100）B.（111）C.（110）D.（211）
在硅表面LPCVD-Si3N4之前，都会先热生长薄氧化层，它被称为（）层。
填空题在硅表面LPCVD-Si3N4之前，都会先热生长薄氧化层，它被称为（）层。
铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性（）的特点。
填空题铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性（）的特点。
