离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。

离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。

判断题离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。

离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。

判断题离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。

离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。

判断题离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。