问答题
优点：（1）真空度要求不高，甚至不须真空，如热喷覆。（2）高沉积速率，APCVD可以达到1&mu......
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电浆辅助VCD系统具有何特色？
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CVD化学气相沉积法反应步骤可区分为几个步骤？
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TiN氮化钛镀膜具有哪些特点？
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