单项选择题
A.共熔焊B.倒装片键合C.芯片载体组装D.半导体-热塑料-介质法
面键合技术是对下列哪种器件的键合方法（）A.倒装器件B.梁式引线器件C.载带器件D.芯片载体
单项选择题面键合技术是对下列哪种器件的键合方法（）
A.倒装器件B.梁式引线器件C.载带器件D.芯片载体
金锗合金装片时通常采用（）A.360~410℃B.420~460℃C.315~350℃D.310~350℃
单项选择题金锗合金装片时通常采用（）
A.360~410℃B.420~460℃C.315~350℃D.310~350℃
金锑合金的低共熔点为360℃共晶焊时应采用（）A.400~450℃B.380~410℃C.420~440℃D....
单项选择题金锑合金的低共熔点为360℃共晶焊时应采用（）
A.400~450℃B.380~410℃C.420~440℃D.420~450℃
