多项选择题
A.半导体表面通过磨砂处理，形成大量的复合中心B.半导体表面高掺杂，利用隧道效应原理制备欧姆接触C.选择适当的金属，形成反阻挡层D.选择适当的金属，形成阻挡层
金属与N型半导体形成的整流接触，热电子发射理论适用于（）半导体。A.势垒区宽度等于电子的平均自由程B.势垒区宽...
单项选择题金属与N型半导体形成的整流接触，热电子发射理论适用于（）半导体。
A.势垒区宽度等于电子的平均自由程B.势垒区宽度远小于电子的平均自由程C.不确定D.势垒区宽度远大于电子的平均自由程
金属与N型半导体形成的整流接触，扩散理论适用于（）半导体。A.势垒区宽度远小于电子的平均自由程B.势垒区宽度等...
单项选择题金属与N型半导体形成的整流接触，扩散理论适用于（）半导体。
A.势垒区宽度远小于电子的平均自由程B.势垒区宽度等于电子的平均自由程C.势垒区宽度远大于电子的平均自由程D.不确定
隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随（）。A.反偏电压绝对值的增加而减小B.正偏电压的增加而增大C.反偏电压绝...
单项选择题隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随（）。
A.反偏电压绝对值的增加而减小B.正偏电压的增加而增大C.反偏电压绝对值的增加而增大D.正偏电压的增加而减小
