填空题
GDSII格式
衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压,反向偏置电压增大,则MOS器件的阈值电压也随之增大,这种效应称为()
填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压,反向偏置电压增大,则MOS器件的阈值电压也随之增大,这种效应称为()
MOS场效应晶体管分为四种基本类型:()、()、P沟增强型、P沟耗尽型。
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CMOS的英文全称是()
填空题CMOS的英文全称是()