判断题
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THDS-C探测站的加热控制板加的加热保护温度为+120℃±5℃。
判断题THDS-C探测站的加热控制板加的加热保护温度为+120℃±5℃。
THDS-C探测站中制冷控制板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式。
判断题THDS-C探测站中制冷控制板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式。
（哈科）THDS-C系统设备应设防雷保护设施，设备地小于等于4欧姆。
判断题（哈科）THDS-C系统设备应设防雷保护设施，设备地小于等于4欧姆。
