半导体导带中的电子浓度取决于导带的（）（即量子态按能量如何分布）和 （）（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。

试证明在小信号条件下，本征半导体的非平衡载流子的寿命最长。

问答题试证明在小信号条件下，本征半导体的非平衡载流子的寿命最长。

假设Si中空穴浓度是线性分布，在4μm内的浓度差为2×1016cm-3，试计算空穴的扩散电流密度。

问答题假设Si中空穴浓度是线性分布，在4μm内的浓度差为2×10¹⁶cm^-3，试计算空穴的扩散电流密度。

证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为

问答题

证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为