单项选择题
A.质量较大的原子形成的半导体产生的空穴 B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D.自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
半导体的载流子扩散系数大小决定于其（）。A.复合机构B.能带结构C.晶体结构D.散射机构
单项选择题半导体的载流子扩散系数大小决定于其（）。
A.复合机构 B.能带结构 C.晶体结构 D.散射机构
Si中掺金的工艺主要用于制造（）器件。A.高可靠性B.高频C.大功率D.高电压
单项选择题Si中掺金的工艺主要用于制造（）器件。
A.高可靠性 B.高频 C.大功率 D.高电压
若某半导体导带中电子出现几率为零，则此半导体必定（）。A.处于绝对零度B.不含任何杂质C.不含任何缺陷D.不含...
单项选择题若某半导体导带中电子出现几率为零，则此半导体必定（）。
A.处于绝对零度 B.不含任何杂质 C.不含任何缺陷 D.不含施主
