简答题

画出下列版图的电路原理图。

试画出用预充电逻辑实现 的电路原理图的电路图，并画出在一个时钟周期内，当A=1、B=0、C=1时，X的变化波...

问答题

试画出用预充电逻辑实现

的电路原理图的电路图，并画出在一个时钟周期内，当A=1、B=0、C=1时，X的变化波形。

试画出下列版图的电路原理图

问答题

试画出下列版图的电路原理图

设1μmCMOS工艺的参数为：栅氧化层厚度35nm，栅氧化层介电常数ε0εox为3.45x10-13F/cm，...

问答题设1μmCMOS工艺的参数为：栅氧化层厚度35nm，栅氧化层介电常数ε₀ε_ox为3.45x10^-13F/cm，电子迁移率500cm²/V.s空穴迁移率200cm²/V.s，阈值电压V_tn=-V_tp=0.8V晶体管最小栅宽3μm，电源电压3V，有两个反相器相连（栅长相等），前一级为最小尺寸，后一级宽长比为前一级的3倍，驱动的负载C_L=10fF，试求反相器链的延迟时间。