单项选择题
A、CF4B、BCL3C、氮气D、氢气
下面()不属于钨的干法刻蚀所使用的气体。A.SF6B.ArC.氧气D.氮气
单项选择题下面()不属于钨的干法刻蚀所使用的气体。
A.SF6B.ArC.氧气D.氮气
在集成电路制造过程中,刻蚀通常是在()之后进行的,刻蚀与光刻一起实现了将掩膜版上的图形转移到薄膜上。A.显影B...
单项选择题在集成电路制造过程中,刻蚀通常是在()之后进行的,刻蚀与光刻一起实现了将掩膜版上的图形转移到薄膜上。
A.显影B.光刻C.涂胶D.抛光
下面关于刻蚀效果的描述中错误的是()。A.刻蚀均匀性要好B.图形的保真度好C.刻蚀选择比低D.刻蚀的洁净度高
单项选择题下面关于刻蚀效果的描述中错误的是()。
A.刻蚀均匀性要好B.图形的保真度好C.刻蚀选择比低D.刻蚀的洁净度高