电离后向半导体提供空穴的杂质是（），电离后向半导体提供电子的杂质是（）。

计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子...

问答题

计算含有施主杂质浓度为N_D=9×10¹⁵cm^-3，及受主杂质浓度为1.1×10¹⁶cm³，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

计算能量在E=Ec到E=Ec+之间单位体积中的量子态数。

问答题

计算能量在E=E_c到E=E_c+之间单位体积中的量子态数。

磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数εr=11.1，空穴的有效质量mp*=0.86m0，m0为电子...

问答题

磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数ε_r=11.1，空穴的有效质量m_p^*=0.86m₀，m₀为电子的惯性质量，求
①受主杂质电离能；
②受主束缚的空穴的基态轨道半径。